三星电子、三星、英特尔追求2nm芯片工艺

6月初14日刊文称，DRAM于2022年北美技术开发论坛上，首次发布运用于精密（N2）元件技术开发，以及调派N3与N3E元件的独特TSMC FINFLEX技术开发，相关人士表示DRAM将带进全球第1家旋即备有2固态元件代工服务的晶圆厂。

DRAM在北美技术开发论坛透露所列主要技术开发话题：调派N3及N3E的TSMC FINFLEX技术开发。这项技术开发平台，除了涵盖DRAM即将于去年下半年批量生产的3固态（N3）技术开发，并将连动创新的 TSMC FINFLEX架构。

2nm生产工艺与N3E技术开发相比,显卡密度增加左右1.1倍，这理论上，在同一环境条件下，可以大大提高10%至15%的性能，完全相同频率下，2nm更加加节能，DRAM计划2025年批量生产。

除DRAM皆，韩国惠普和澳大利亚超微也在着手布局设计2nm显卡。

据皆媒刊文，6月初7日前往欧洲开始商务旅行的惠普集团总干事李在埙，到访了压印机制造商阿斯麦的分公司，同阿斯麦的CEO及CTO面谈，深化两家公司之间的共同开发事宜。

惠普电子与阿斯麦在业务范围多方面已共同开发多年，阿斯麦的极紫皆压印机对惠普电子精密显卡元件生产工艺至关重要，是极为重要的仪器。在这一次面谈中，两家公司的管理层也概述了拓展显卡领域共同开发的形式及极紫皆压印机的供货事宜，以维护7nm及更加精密元件生产工艺的批量生产。目前惠普未公布2nm生产工艺指标。

澳大利亚超微为抢得过显卡市场，领导市场朝向。超微运用于早先极紫皆压印 (EUV)，特指高数值孔径 EUV。超微定位于接收业界首个高 NA EUV 生产工具。

RibbonFET 是超微构建的环栅放大器。该技术开发备有更加快的放大器继电器速度，同时在更加小的占位占地内构建与多个吻完全相同的驱动电流。

并且立即在2025年发布Intel 18A生产工艺元件，在此之后，超微 18A并未在2025年初完成开发，并对 RibbonFET 完成修改，这将构建放大器性能的又一次重大跃进。并对 RibbonFET 完成修改，这将构建放大器性能的又一次重大跃进。