手机续航14天！1nm芯片工艺技术曝光：性能提高200%，功耗降低85%

目前全球闪存核心电子技术已经来到了4nm工艺电子技术，根据新闻报道称之为，Samsung和DRAM将突破4nm来抢首发3nm工艺电子技术，而1nm将成为分水岭，需要突破全新半导体电子技术。而出乎意料是近期IBM和Samsung1nm电子技术下半年突破，配置此闪存的PDA续航达2周。

在今年年底，Samsung和IBM定为了全球2nm工艺电子技术闪存，现在两国间在1nm工艺电子技术上又有了取而代之突破，推出了VTFET（垂直传输数据场效应晶体管）电子技术，与现代晶体管的电流水平方向传输数据不同，是垂直方向传输数据的，下半年进军1nm及以下工艺电子技术。

根据Samsung和IMB的对外来历是，VTFET电子技术有两个优势，一是可以绕过既有电子技术等多种上限，进一步扩展这些年来，另一个就是得益于性能，采用VTFET电子技术的闪存，速度可以大增超过2倍，降低85%的功耗。

如果这个电子技术量产了，那么PDA闪存能效比将大增，PDA可以充一次电采用2周时间，不过目前Samsung和IBM还没有人定为1nm量产的时间，所以还是要等的。